东莞中镓半导体突破8英寸氮化镓单晶衬底技术

 

 

　　近日，东莞市中镓半导体科技有限公司成功攻克8英寸氮化镓（Free-Standing GaN Substrate）单晶衬底的制备技术，标志着我国在第三代半导体材料领域取得重大进展。该公司依托自主研发的超大型氢化物气相外延设备（HVPE），填补了国际上前沿技术的空白，为我国在全球半导体产业中抢占了技术制高点。

 

　　氮化镓作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高电子迁移率等优异特性，在消费电子、光电子、电力电子器件、通信与雷达等领域具有广泛的应用前景。此次技术突破将推动大尺寸衬底支撑的同质外延生长，进一步提升器件性能并拓展相关应用。

 

　　目前，业界主流的GaN单晶衬底仍处在2-4英寸阶段，受限于设备兼容性和材料特性，大尺寸衬底的制备一直是个技术难题。中镓半导体通过自主研发的超大型HVPE设备，成功解决了大尺寸GaN单晶生长中的开裂与翘曲问题，不仅在2024年初开发出6英寸GaN单晶衬底，近期更实现了8英寸GaN单晶衬底的突破性开发，并通过研磨与粗精抛光工艺获得完整单晶衬底，其关键性能指标已达到国际领先水平。

 

　　这一突破不仅打破了国外技术垄断，还使我国在该领域掌握了关键话语权，有望推动8英寸GaN单晶衬底成为国际主流工艺标准，重新定义行业规范。8英寸GaN单晶衬底可直接适配现有8英寸硅基半导体产线设备，将显著缩短GaN on GaN器件的研发周期，降低产线转型成本，加速产业化进程。同时，大尺寸衬底能提升材料利用率，增加单片晶圆可切割的芯片数量，从而大幅降低器件单位成本，提高整体生产效率。

 

　　东莞中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月，是广东光大企业集团在半导体领域布局的重点产业化项目。公司致力于第三代半导体氮化镓的研发与产业化，掌握了GaN单晶衬底制备、GaN外延生长、GaN器件制造等核心技术，并自主开发了HVPE氮化镓晶体生长设备。未来，该公司将继续以第三代半导体氮化镓材料为重点发展方向，纵向整合衬底、外延、器件技术资源，目标是成为全球知名的氮化镓半导体制造商。